10月15日 于庆凯:化学气相沉积石墨烯单晶和粉体(69年校庆系列学术报告)

来源:中国足球竞彩比分 时间:2020-10-07浏览:14设置


讲座题目:化学气相沉积石墨烯单晶和粉体

主讲人:于庆凯 教授

主持人:袁清红 研究员

开始来源:中国足球竞彩比分 时间:2020-10-15   10:00

讲座地址:闵行校区光学大楼A408会议室

主办单位:精密光谱科学与技术国家重点实验室

 

报告人简介:

        于庆凯,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。长期从事碳基材料生长工作,包括CVD方法生长石墨烯薄膜,石墨烯粉体,三维石墨烯结构,铜碳复合材料等。在Nature Materials, Advanced Materials等国际期刊发表学术论文60余篇,获得美国发明专利两件。


报告内容:

化学气相沉积(CVD)是低维材料生长的重要手段。其中,在过去的十年中,CVD在石墨烯薄膜的生长取得诸多进展。然而,如何使用CVD生长石墨烯大单晶仍有挑战。另外如何能够利用CVD生长石墨烯具有低缺陷密度的优势,可以大规模生长石墨烯粉体也是尚未解决的问题。我们的工作在石墨烯大单晶和粉体两方面开展工作,拓展CVD方法在石墨烯生长领域的可能性。我们发现铜镍合金镍元素的存在明显提高石墨烯的生长速度,并可以降低形核密度,通过局部供碳技术得到石墨烯大单晶。另外,我们通过鼓泡法在熔融铜中通入天然气,在铜与气氛界面生长石墨烯,并由气泡带走,以粉体形式为最终产物。由于此方法为连续生长法,现阶段实现在30升的容器中,日产三公斤石墨烯。此石墨烯粉体显示出良好的导电性。

Nenov, Francesco Segatta, Marco Garavelli, and Shaul Mukamel. (in   preparation)

 


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